Descripción
Descripción general:
El 1N5819 es un diodo Schottky de baja caída de tensión directa y alta velocidad de conmutación, diseñado para aplicaciones de rectificación rápida y eficiencia energética. Soporta hasta 1 amperio de corriente continua y 40 V de tensión inversa. Su baja barrera de conducción (~0.2–0.6 V) lo hace ideal en circuitos de fuentes conmutadas, protección contra inversión de polaridad y convertidores DC-DC.
Funcionamiento:
En conducción directa, presenta muy baja caída de tensión, mejorando la eficiencia.
En inversa, bloquea hasta 40 V con una corriente de fuga algo mayor que los diodos de silicio tradicionales.
Tiene una conmutación muy rápida, perfecta para frecuencias altas (kHz a MHz).
Aplicaciones típicas:
Fuentes conmutadas (SMPS)
Convertidores buck/boost
Protección contra polaridad inversa
Rectificación de baja tensión
Fuentes de alimentación para microcontroladores
Sistemas solares y baterías
Ventajas:
Baja caída de tensión → menores pérdidas de potencia
Alta velocidad de conmutación → ideal para frecuencias elevadas
Compacto y económico
Limitaciones:
Menor tensión inversa máxima (40 V) en comparación con diodos convencionales como el 1N4007 o 1N5408.
Mayor corriente de fuga inversa que un diodo de unión PN (propio del tipo Schottky).
