Descripción
Descripción general:
El 1N5819 es un diodo Schottky de baja caída de tensión directa y alta velocidad de conmutación, diseñado para aplicaciones de rectificación rápida y eficiencia energética. Soporta hasta 1 amperio de corriente continua y 40 V de tensión inversa. Su baja barrera de conducción (~0.2–0.6 V) lo hace ideal en circuitos de fuentes conmutadas, protección contra inversión de polaridad y convertidores DC-DC.
Funcionamiento:
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En conducción directa, presenta muy baja caída de tensión, mejorando la eficiencia.
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En inversa, bloquea hasta 40 V con una corriente de fuga algo mayor que los diodos de silicio tradicionales.
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Tiene una conmutación muy rápida, perfecta para frecuencias altas (kHz a MHz).
Aplicaciones típicas:
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Fuentes conmutadas (SMPS)
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Convertidores buck/boost
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Protección contra polaridad inversa
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Rectificación de baja tensión
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Fuentes de alimentación para microcontroladores
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Sistemas solares y baterías
Ventajas:
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Baja caída de tensión → menores pérdidas de potencia
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Alta velocidad de conmutación → ideal para frecuencias elevadas
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Compacto y económico
Limitaciones:
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Menor tensión inversa máxima (40 V) en comparación con diodos convencionales como el 1N4007 o 1N5408.
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Mayor corriente de fuga inversa que un diodo de unión PN (propio del tipo Schottky).
