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2N3904 Transistor NPN

SKU: 2019

$200

Transistor 2N3904 pequeña señal.  El 2N3904 es un  transistores de conmutación rápida, corta apague y baja tensión de saturaciónadecuado para la conmutación y amplificación.

Categoría

Descripción

Características: 

  • TRANSISTOR BIPOLAR, NPN, 40 V, TO-92
  • Polaridad del transistor: NPN
  • Voltaje V (br) ceo: 40 V
  • Transición de frecuencia ft: 300 MHz
  • Disipación de potencia Pd: 625 mW
  • DC Corriente del colector: 200 mA
  • Ganancia de corriente contínua hFE: 100
  • Rango de temperatura de funcionamiento en el empalme de -55 ° C a 150 ° C
  • Colector emisor tensión de saturación es inferior a 300 mV en Ic = 10 mA
  • DC ganancia de corriente es mayor que 30 en Ic = 100 mA
  • Encapsulado TO-92
  • 3 pines

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2N3904 Transistor NPN Eliminar2N5551 Transistor NPN EliminarA1015 Transistor NPN EliminarTIP31C Transistor NPN EliminarA1659 Transistor PNP EliminarBC307 Transistor PNP Eliminar
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Price$200$200$1,500
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DescriptionTransistor 2N3904 pequeña señal.  El 2N3904 es un  transistores de conmutación rápida, corta apague y baja tensión de saturaciónadecuado para la conmutación y amplificación.Transistor NPN de alto voltaje. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 160 V, VCBO: 180 V, VEBO: 6 V, fT: 100 MHz, TO-92

Transistor PNP Encapsulado TO-92 De 3 Pines A1015

El TIP31C es un transistor de 100V con polaridad NPN epitaxial de silicio usado para la conmutación de potencia lineal media. Este producto es de uso general y adecuados para muchas aplicaciones diferentes. Es complementaria a TIP29 / 29A / 29B / 29C.TRANSISTOR PNP 2SA1837 A1837 BIPOLAR Transistor 2SA1837 Tipo T diseñado para su uso como amplificador de poder de uso general.BC307 Transistor PNP
ContentCaracterísticas: 
  • TRANSISTOR BIPOLAR, NPN, 40 V, TO-92
  • Polaridad del transistor: NPN
  • Voltaje V (br) ceo: 40 V
  • Transición de frecuencia ft: 300 MHz
  • Disipación de potencia Pd: 625 mW
  • DC Corriente del colector: 200 mA
  • Ganancia de corriente contínua hFE: 100
  • Rango de temperatura de funcionamiento en el empalme de -55 ° C a 150 ° C
  • Colector emisor tensión de saturación es inferior a 300 mV en Ic = 10 mA
  • DC ganancia de corriente es mayor que 30 en Ic = 100 mA
  • Encapsulado TO-92
  • 3 pines
Características: 
  • Transistor Bipolar (BJT) NPN de alto voltaje
  • Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general
  • IC: 600 mA max.
  • PD: 625 mW max.
  • VCEO: 160 V, VCBO: 180 V, VEBO: 6 V,   max.
  • hFE: 80 min. (@ IC=1 mA, VCE=5 V)
  • fT: 100 MHz mínimo
  • VCE(sat): 0.2 V max. (@ IC = 50 mA)
  • Encapsulado: TO-92
  • Complementarios: 2N5400
Características:  Transistor PNP, UTC2SA1015 Encapsulado TO-92 de 3 pines Voltaje de Colector a Base (CB) es -50V Voltaje de Colector a Emisor (CE) es -50V Corriente de Colector es -150mA Potencia de disipación total es 400mW Ganancia de corriente DC (hfe) es 400 Frecuencia de transición es 80MHz.Características: 
  • Polaridad: NPN
  • Tensión colector emisor V(br)ceo: 100 V
  • Frecuencia de transición ft: 3 MHz
  • Disipación de potencia Pd : 40 W
  • Corriente de colector: 3 A
  • Ganancia de corriente DC hFE: 10
  • Temperatura de trabajo Máx. 150°C
  • 5V emisor de tensión de base (VEBO) 
  • Encapsulado TO-220
  • 3 pines
Características:  Tipo de transistor PNP Polarización bipolar Tensión colector-emisor 230V Corriente de colector 1A Poder disipado 2W Carcasa TO220AB Montaje THT Frecuencia 100MHzCaracterísticas: 
  • Disipación total del dispositivo (Pc): 0,3 W
  • Voltaje máximo colector-base | Vcb |: 30 V
  • Voltaje máximo colector-emisor | Vce |: 25 V
  • Voltaje máximo del emisor-base | Veb |: 5 V
  • Corriente máxima del colector | Ic max |: 0.1 A
  • Max. Temperatura de funcionamiento de la unión (Tj): 125 ° C
WeightN/DN/DN/DN/DN/DN/D
DimensionsN/DN/DN/DN/DN/DN/D
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