La Red Electrónica

Envios a toda Colombia

Availability: In Stock

2N5551 Transistor NPN

SKU: 1965

Transistor NPN de alto voltaje. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 160 V, VCBO: 180 V, VEBO: 6 V, fT: 100 MHz, TO-92

Other people want this. 15 people have this in their carts right now.
Category:

Descripción

Características: 

  • Transistor Bipolar (BJT) NPN de alto voltaje
  • Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general
  • IC: 600 mA max.
  • PD: 625 mW max.
  • VCEO: 160 V, VCBO: 180 V, VEBO: 6 V,   max.
  • hFE: 80 min. (@ IC=1 mA, VCE=5 V)
  • fT: 100 MHz mínimo
  • VCE(sat): 0.2 V max. (@ IC = 50 mA)
  • Encapsulado: TO-92
  • Complementarios: 2N5400

Quick Comparison

Settings2N5551 Transistor NPN remove2N6027 Transistor PNP removeA608 Transistor PNP remove2N3904 Transistor NPN remove2SB1143 Transistor PNP remove2N2905A Transistor PNP Metálico remove
Name2N5551 Transistor NPN remove2N6027 Transistor PNP removeA608 Transistor PNP remove2N3904 Transistor NPN remove2SB1143 Transistor PNP remove2N2905A Transistor PNP Metálico remove
Image
SKU196534451951201919511944
Rating
Price$8,000$200$200$200$2,500
Stock
Availability
Add to cart

Leer más

Añadir al carrito

Añadir al carrito

Añadir al carrito

Añadir al carrito

Añadir al carrito

DescriptionTransistor NPN de alto voltaje. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 160 V, VCBO: 180 V, VEBO: 6 V, fT: 100 MHz, TO-92Transistor de unijuntura programable (PUT), 150 mA, 40 V, 300 mW, corriente pico Ip típica 4 μA. Permite programar las características de unijuntura RBB, η, Iv y Ip con solo dos resistencias.A608 Transistor PNPTransistor 2N3904 pequeña señal.  El 2N3904 es un  transistores de conmutación rápida, corta apague y baja tensión de saturaciónadecuado para la conmutación y amplificación.2SB1143 Transistor PNP2N2905A Transistor BJT PNP -40V / -600mA TO-39, semiconductor bipolar de juntura PNP. Su estructura es en plástico con tres terminales. Este transistor es de baja potencia, capaz de disipar hasta 800mW, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 600mA o que requieran tensiones de hasta 40VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima. Su juntura es PNP, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 20 y 120.
ContentCaracterísticas: 
  • Transistor Bipolar (BJT) NPN de alto voltaje
  • Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general
  • IC: 600 mA max.
  • PD: 625 mW max.
  • VCEO: 160 V, VCBO: 180 V, VEBO: 6 V,   max.
  • hFE: 80 min. (@ IC=1 mA, VCE=5 V)
  • fT: 100 MHz mínimo
  • VCE(sat): 0.2 V max. (@ IC = 50 mA)
  • Encapsulado: TO-92
  • Complementarios: 2N5400
Características: 
  • Transistor de unijuntura programable (PUT = Programmable Unijunction Transistor)
  • Permite programar las características de unijuntura RBB, η, Iv y Ip con solo dos resistencias
  • Voltaje en directo: 0.8 V típico, 1.5 V max. (@ If = 50 mA)
  • Voltaje pico de salida alto: 11 V típico
  • Corriente pico Ip: 4 μA típica (Vs = 10 V, RG = 10 kΩ)
  • Corriente valle Iv: 150 μA típica (Vs = 10 V, RG = 10 kΩ)
  • Voltaje offset bajo: 0.35 V típico (RG = 10 kΩ)
  • Corriente de fuga compuerta-ánodo baja: 10 nA max.
  • Corriente en directo max: 150 mA
  • Corriente de compuerta max: ±50 mA
  • Corriente pico no repetitivo max: 5 A  (Pulso de 10 μs)
  • Voltaje directo de compuerta-cátodo max: 40 V
  • Voltaje inverso de compuerta-cátodo max: -5 V
  • Voltaje inverso de compuerta-ánodo max: 40 V
  • Voltaje de ánodo-cátodo max: ±40 V
  • Potencia max: 300 mW
  • Marcado: 6027
  • Encapsulado: TO-92
Características: 
  • Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
  • Tensión colector-base (Vcb): 55 V
  • Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
  • Tensión emisor-base (Veb): 5 V
  • Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
  • Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Características: 
  • TRANSISTOR BIPOLAR, NPN, 40 V, TO-92
  • Polaridad del transistor: NPN
  • Voltaje V (br) ceo: 40 V
  • Transición de frecuencia ft: 300 MHz
  • Disipación de potencia Pd: 625 mW
  • DC Corriente del colector: 200 mA
  • Ganancia de corriente contínua hFE: 100
  • Rango de temperatura de funcionamiento en el empalme de -55 ° C a 150 ° C
  • Colector emisor tensión de saturación es inferior a 300 mV en Ic = 10 mA
  • DC ganancia de corriente es mayor que 30 en Ic = 100 mA
  • Encapsulado TO-92
  • 3 pines
Características: 
  • Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
  • Tensión colector-base (Vcb): 60 V
  • Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
  • Tensión emisor-base (Veb): 6 V
  • Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
  • Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
Características: 
  • Tipo de Encapsulado: TO-39
  • Transistor complementario del 2N2222 / 2N2222A
  • Transistor equivalente a 2N2904A / 2N2905 / 2N2906 / 2N2907 / 2N2907A / NTE129
  • Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo PNP
  • Voltaje Colector - Emisor (VCE): -40V
  • Voltaje Colector - Base (VCB): -60V
  • Voltaje Emisor - Base (VEB): -5V
  • Corriente Colector (IC): -600mA
  • Potencia Máxima Disipada (PD): 800 mW
  • Ganancia Máxima (hFE): 120
  • Frecuencia Máxima de Trabajo (FT): 200 MHz
Weight
DimensionsN/DN/DN/DN/DN/DN/D
Additional information
Select the fields to be shown. Others will be hidden. Drag and drop to rearrange the order.
  • Image
  • SKU
  • Rating
  • Price
  • Stock
  • Availability
  • Add to cart
  • Description
  • Content
  • Weight
  • Dimensions
  • Additional information
  • Attributes
  • Custom attributes
  • Custom fields
Click outside to hide the comparison bar
Compare
WhatsApp chat
Shopping cart close