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2N5551 Transistor NPN

SKU: 1965

Transistor NPN de alto voltaje. I_C: 600 mA, P_D: 625 mW, V_CEO: 160 V, V_CBO: 180 V, V_EBO: 6 V, fT: 100 MHz, TO-92

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Category: Transistores

Descripción

Descripción

Descripción

Características:

Transistor Bipolar (BJT) NPN de alto voltaje
Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general
I_C: 600 mA max.
P_D: 625 mW max.
V_CEO: 160 V, V_CBO: 180 V, V_EBO: 6 V, max.
h_FE: 80 min. (@ IC=1 mA, VCE=5 V)
f_T: 100 MHz mínimo
V_CE(sat): 0.2 V max. (@ I_C = 50 mA)
Encapsulado: TO-92
Complementarios: 2N5400

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Name	2N5551 Transistor NPN remove	2N6027 Transistor PNP remove	A608 Transistor PNP remove	2N3904 Transistor NPN remove	2SB1143 Transistor PNP remove	2N2905A Transistor PNP Metálico remove
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SKU	1965	3445	1951	2019	1951	1944
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Description	Transistor NPN de alto voltaje. I_C: 600 mA, P_D: 625 mW, V_CEO: 160 V, V_CBO: 180 V, V_EBO: 6 V, fT: 100 MHz, TO-92	Transistor de unijuntura programable (PUT), 150 mA, 40 V, 300 mW, corriente pico Ip típica 4 μA. Permite programar las características de unijuntura RBB, η, Iv y Ip con solo dos resistencias.	A608 Transistor PNP	Transistor 2N3904 pequeña señal. El 2N3904 es un transistores de conmutación rápida, corta apague y baja tensión de saturación, adecuado para la conmutación y amplificación.	2SB1143 Transistor PNP	2N2905A Transistor BJT PNP -40V / -600mA TO-39, semiconductor bipolar de juntura PNP. Su estructura es en plástico con tres terminales. Este transistor es de baja potencia, capaz de disipar hasta 800mW, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 600mA o que requieran tensiones de hasta 40VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima. Su juntura es PNP, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 20 y 120.
Content	Características: Transistor Bipolar (BJT) NPN de alto voltaje Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general I_C: 600 mA max. P_D: 625 mW max. V_CEO: 160 V, V_CBO: 180 V, V_EBO: 6 V, max. h_FE: 80 min. (@ IC=1 mA, VCE=5 V) f_T: 100 MHz mínimo V_CE(sat): 0.2 V max. (@ I_C = 50 mA) Encapsulado: TO-92 Complementarios: 2N5400	Características: Transistor de unijuntura programable (PUT = Programmable Unijunction Transistor) Permite programar las características de unijuntura R_BB, η, Iv y Ip con solo dos resistencias Voltaje en directo: 0.8 V típico, 1.5 V max. (@ If = 50 mA) Voltaje pico de salida alto: 11 V típico Corriente pico Ip: 4 μA típica (Vs = 10 V, RG = 10 kΩ) Corriente valle Iv: 150 μA típica (Vs = 10 V, RG = 10 kΩ) Voltaje offset bajo: 0.35 V típico (RG = 10 kΩ) Corriente de fuga compuerta-ánodo baja: 10 nA max. Corriente en directo max: 150 mA Corriente de compuerta max: ±50 mA Corriente pico no repetitivo max: 5 A (Pulso de 10 μs) Voltaje directo de compuerta-cátodo max: 40 V Voltaje inverso de compuerta-cátodo max: -5 V Voltaje inverso de compuerta-ánodo max: 40 V Voltaje de ánodo-cátodo max: ±40 V Potencia max: 300 mW Marcado: 6027 Encapsulado: TO-92	Características: Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W Tensión colector-base (Vcb): 55 V Tensión colector-emisor (Vce): 50 V Tensión emisor-base (Veb): 5 V Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C	Características: TRANSISTOR BIPOLAR, NPN, 40 V, TO-92 Polaridad del transistor: NPN Voltaje V (br) ceo: 40 V Transición de frecuencia ft: 300 MHz Disipación de potencia Pd: 625 mW DC Corriente del colector: 200 mA Ganancia de corriente contínua hFE: 100 Rango de temperatura de funcionamiento en el empalme de -55 ° C a 150 ° C Colector emisor tensión de saturación es inferior a 300 mV en Ic = 10 mA DC ganancia de corriente es mayor que 30 en Ic = 100 mA Encapsulado TO-92 3 pines	Características: Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W Tensión colector-base (Vcb): 60 V Tensión colector-emisor (Vce): 50 V Tensión emisor-base (Veb): 6 V Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C	Características: Tipo de Encapsulado: TO-39 Transistor complementario del 2N2222 / 2N2222A Transistor equivalente a 2N2904A / 2N2905 / 2N2906 / 2N2907 / 2N2907A / NTE129 Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo PNP Voltaje Colector - Emisor (VCE): -40V Voltaje Colector - Base (VCB): -60V Voltaje Emisor - Base (VEB): -5V Corriente Colector (IC): -600mA Potencia Máxima Disipada (PD): 800 mW Ganancia Máxima (hFE): 120 Frecuencia Máxima de Trabajo (FT): 200 MHz
Weight
Dimensions	N/D	N/D	N/D	N/D	N/D	N/D
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