Descripción
Características:
- Transistor Bipolar (BJT) NPN de alto voltaje
- Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general
- IC: 600 mA max.
- PD: 625 mW max.
- VCEO: 160 V, VCBO: 180 V, VEBO: 6 V, max.
- hFE: 80 min. (@ IC=1 mA, VCE=5 V)
- fT: 100 MHz mínimo
- VCE(sat): 0.2 V max. (@ IC = 50 mA)
- Encapsulado: TO-92
- Complementarios: 2N5400
