Description | 2SB1143 Transistor PNP | Transistor NPN 2N5551 160V 600mA TO-92 | Transistor de unijuntura programable (PUT), 150 mA, 40 V, 300 mW, corriente pico Ip típica 4 μA. Permite programar las características de unijuntura RBB, η, Iv y Ip con solo dos resistencias. | A1048 Transistor TO92 | A608 Transistor PNP | Transistor PNP Encapsulado TO-92 De 3 Pines A1015 |
Content | Características:
- Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
- Tensión colector-base (Vcb): 60 V
- Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
- Tensión emisor-base (Veb): 6 V
- Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
- Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
| Características:
- Transistor tipo: NPN
- Corriente de Colector (Ic) (Max): 600mA
- Voltaje - Colector Emisor ruptura (Max): 160V
- Vce Saturación (Max) @ Ib, Ic: 200mV
- Potencia – Max: 625mW
- Frecuencia: 300MHz
- Encapsulado: TO92
| Características:
- Transistor de unijuntura programable (PUT = Programmable Unijunction Transistor)
- Permite programar las características de unijuntura RBB, η, Iv y Ip con solo dos resistencias
- Voltaje en directo: 0.8 V típico, 1.5 V max. (@ If = 50 mA)
- Voltaje pico de salida alto: 11 V típico
- Corriente pico Ip: 4 μA típica (Vs = 10 V, RG = 10 kΩ)
- Corriente valle Iv: 150 μA típica (Vs = 10 V, RG = 10 kΩ)
- Voltaje offset bajo: 0.35 V típico (RG = 10 kΩ)
- Corriente de fuga compuerta-ánodo baja: 10 nA max.
- Corriente en directo max: 150 mA
- Corriente de compuerta max: ±50 mA
- Corriente pico no repetitivo max: 5 A (Pulso de 10 μs)
- Voltaje directo de compuerta-cátodo max: 40 V
- Voltaje inverso de compuerta-cátodo max: -5 V
- Voltaje inverso de compuerta-ánodo max: 40 V
- Voltaje de ánodo-cátodo max: ±40 V
- Potencia max: 300 mW
- Marcado: 6027
- Encapsulado: TO-92
| Características:
- Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
- Tensión colector-base (Vcb): 50 V
- Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
- Tensión emisor-base (Veb): 5 V
- Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
- Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
| Características:
- Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
- Tensión colector-base (Vcb): 55 V
- Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
- Tensión emisor-base (Veb): 5 V
- Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
- Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
| Características:
Transistor PNP, UTC2SA1015
Encapsulado TO-92 de 3 pines
Voltaje de Colector a Base (CB) es -50V
Voltaje de Colector a Emisor (CE) es -50V
Corriente de Colector es -150mA
Potencia de disipación total es 400mW
Ganancia de corriente DC (hfe) es 400
Frecuencia de transición es 80MHz. |