Description | A608 Transistor PNP | Transistor NPN 2N5551 160V 600mA TO-92 | Transistor BC548 pequeña señal. | 2N2905A Transistor BJT PNP -40V / -600mA TO-39, semiconductor bipolar de juntura PNP. Su estructura es en plástico con tres terminales. Este transistor es de baja potencia, capaz de disipar hasta 800mW, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 600mA o que requieran tensiones de hasta 40VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.
Su juntura es PNP, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 20 y 120. | Transistor de pequeña señal con 2N2222A Metalico empaquetado TO-92. Ideal como conmutador o switch, y amplificador. | El transistor 2N2222 está en el paquete SOT-23. Es un transistor SMD tipo NPN. 2N2222 tiene una corriente de colector de 600 mA y una tensión de colector-emisor de 75 V. |
Content | Características:
- Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
- Tensión colector-base (Vcb): 55 V
- Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
- Tensión emisor-base (Veb): 5 V
- Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
- Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
| Características:
- Transistor tipo: NPN
- Corriente de Colector (Ic) (Max): 600mA
- Voltaje - Colector Emisor ruptura (Max): 160V
- Vce Saturación (Max) @ Ib, Ic: 200mV
- Potencia – Max: 625mW
- Frecuencia: 300MHz
- Encapsulado: TO92
| Características:
- TRANSISTOR BIPOLAR, NPN, 30 V, TO-92
- Polaridad del transistor: NPN
- Collector Emitter Voltage V (br) ceo: 30 V
- Transición de frecuencia: 300 MHz
- Disipación de potencia Pd: 500 mW
- DC Corriente del colector: 100 mA
- Ganancia de corriente contínua hFE: 110
- Encapsulado TO-92
- 3 pines
| Características:
- Tipo de Encapsulado: TO-39
- Transistor complementario del 2N2222 / 2N2222A
- Transistor equivalente a 2N2904A / 2N2905 / 2N2906 / 2N2907 / 2N2907A / NTE129
- Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo PNP
- Voltaje Colector - Emisor (VCE): -40V
- Voltaje Colector - Base (VCB): -60V
- Voltaje Emisor - Base (VEB): -5V
- Corriente Colector (IC): -600mA
- Potencia Máxima Disipada (PD): 800 mW
- Ganancia Máxima (hFE): 120
- Frecuencia Máxima de Trabajo (FT): 200 MHz
| Características:
- Modelo: 2N2222
- Tipo: NPN
- Cantidad: 1 pza
- Empaquetado: TO-92 Metalico
| Características:
nombre del producto |
2N2222 |
categoria de producto |
Serie de transistores SMD |
Paquete |
SOT-23 |
Tipo de transistor |
NPN |
Voltaje de ruptura Vbr |
75V |
Corriente de colector de CC |
600 mA |
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