Description | Transistor BC548 pequeña señal. | A1309 Transistor PNP | TRANSISTOR PNP 2SA1837 A1837 BIPOLAR Transistor 2SA1837 Tipo T diseñado para su uso como amplificador de poder de uso general. | 2N2905A Transistor BJT PNP -40V / -600mA TO-39, semiconductor bipolar de juntura PNP. Su estructura es en plástico con tres terminales. Este transistor es de baja potencia, capaz de disipar hasta 800mW, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 600mA o que requieran tensiones de hasta 40VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima. Su juntura es PNP, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 20 y 120. | Transistor de unijuntura programable (PUT), 150 mA, 40 V, 300 mW, corriente pico Ip típica 4 μA. Permite programar las características de unijuntura RBB, η, Iv y Ip con solo dos resistencias | Transistor PNP Metálico Encapsulado TO-92 De 3 Pines 2N2907P |
Content | Características: - TRANSISTOR BIPOLAR, NPN, 30 V, TO-92
- Polaridad del transistor: NPN
- Collector Emitter Voltage V (br) ceo: 30 V
- Transición de frecuencia: 300 MHz
- Disipación de potencia Pd: 500 mW
- DC Corriente del colector: 100 mA
- Ganancia de corriente contínua hFE: 110
- Encapsulado TO-92
- 3 pines
| Características: - Polaridad: PNP
- Disipación total del dispositivo (Pc): 0,3 W
- Voltaje máximo colector-base | Vcb |: 35 V
- Corriente máxima del colector | Ic max |: 0.1 A
- Max. Temperatura de funcionamiento de la unión (Tj): 125 ° C
- Frecuencia de transición (ft): 80 MHz
- Relación de transferencia de corriente directa (hFE), MIN: 120
| Características: Tipo de transistor PNP Polarización bipolar Tensión colector-emisor 230V Corriente de colector 1A Poder disipado 2W Carcasa TO220AB Montaje THT Frecuencia 100MHz | Características: - Tipo de Encapsulado: TO-39
- Transistor complementario del 2N2222 / 2N2222A
- Transistor equivalente a 2N2904A / 2N2905 / 2N2906 / 2N2907 / 2N2907A / NTE129
- Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo PNP
- Voltaje Colector - Emisor (VCE): -40V
- Voltaje Colector - Base (VCB): -60V
- Voltaje Emisor - Base (VEB): -5V
- Corriente Colector (IC): -600mA
- Potencia Máxima Disipada (PD): 800 mW
- Ganancia Máxima (hFE): 120
- Frecuencia Máxima de Trabajo (FT): 200 MHz
| Características: - Voltaje en directo: 0.8 V típico, 1.5 V max. (@ If = 50 mA)
- Voltaje pico de salida alto: 11 V típico
- Corriente pico Ip: 4 μA típica (Vs = 10 V, RG = 10 kΩ)
- Corriente valle Iv: 150 μA típica (Vs = 10 V, RG = 10 kΩ)
- Voltaje offset bajo: 0.35 V típico (RG = 10 kΩ)
- Corriente de fuga compuerta-ánodo baja: 10 nA max.
- Corriente en directo max: 150 mA
- Corriente de compuerta max: ±50 mA
- Corriente pico no repetitivo max: 5 A (Pulso de 10 μs)
- Voltaje directo de compuerta-cátodo max: 40 V
- Voltaje inverso de compuerta-cátodo max: -5 V
- Voltaje inverso de compuerta-ánodo max: 40 V
- Voltaje de ánodo-cátodo max: ±40 V
- Potencia max: 300 mW
- Encapsulado: TO-92
| Características: - Transistor PNP, 2N2907
- Encapsulado Metalico TO-92 de 3 pines
- Voltaje de Colector a Base (CB) es -60V
- Voltaje de Colector a Emisor (CE) es -60V
- Corriente de Colector es -600mA
- Potencia de disipación total es 625mW
- Ganancia de corriente DC (hfe) es 300
- Frecuencia de transición es 200MHz
- Tiempo de retardo es 10ns
- Tiempo de subida es 40ns, y tiempo de bajada es 30ns.
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