DALLAS DS1230Y-120+.

DALLAS DS1230Y-120+.

DALLAS DS1230Y-120+.

La memoria NV SRAM (Static Random Access Memory No Volátil) de 256 Kbits (bits) fabricado por Maxim Integrated/Dallas Semiconductor. Sirve para almacenar datos de forma segura, reteniendo la información por más de 10 años sin energía externa gracias a una batería de litio interna

$ 65.000

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Descripción

Funciones y Características Principales:
  • Retención de Datos: Incorpora una batería de litio y circuitería de control que, al detectar un fallo de energía , conmuta automáticamente a la batería para no perder la información.
  • Alta Fiabilidad: Funciona como una RAM estática convencional pero con la característica no volátil de una EEPROM, sin límite en los ciclos de escritura.
  • Reemplazo Directo: Puede sustituir memorias SRAM volátiles, EEPROM o Flash de 
     en encapsulados DIP de 28 pines estándar.
  • Velocidad: Tiempo de acceso de 120 ns.
  • Seguridad: Protección automática contra escritura durante los apagones para evitar la corrupción de datos