Descripción
Diodo Schottky 1N5711 – Alta Velocidad y Baja Caída de Tensión para Aplicaciones de RF
El 1N5711 es un diodo Schottky de alto rendimiento, diseñado para aplicaciones de alta frecuencia y baja potencia. Su construcción de unión metal-silicio le permite ofrecer una conmutación ultrarrápida y una baja caída de tensión directa, características que lo hacen ideal para circuitos de RF, detección, mezcla y conmutación en rangos de UHF y VHF.
Características técnicas:
Tipo de diodo: Schottky de señal pequeña
Voltaje inverso máximo (V_R): 70 V
Corriente directa máxima (I_F): 33 mA
Caída de tensión directa (V_F): Aproximadamente 0.34 V a 1 mA
Capacitancia de unión (C_j): 1 pF
Resistencia dinámica (r_d): 35 Ω
Encapsulado: DO-35 (vidrio hermético)
Temperatura de operación: -65 °C a +150 °C
Aplicaciones típicas: Detección de señales de RF, mezcla de señales, conmutación de alta velocidad, conversión analógica a digital (A/D), detección de video, discriminación de frecuencia, muestreo y modelado de señales.
Ventajas clave:
Conmutación ultrarrápida: Ideal para aplicaciones que requieren respuestas rápidas.
Baja caída de tensión directa: Permite una mayor eficiencia energética y menor disipación de calor.
Alta capacidad de manejo de señales de RF: Adecuado para aplicaciones en rangos de UHF y VHF.
Construcción robusta: Encapsulado en vidrio hermético para una mayor durabilidad y fiabilidad.
Este diodo es ampliamente utilizado en equipos de comunicación, sistemas de radar, instrumentos de medición y otros dispositivos electrónicos que operan en frecuencias altas y requieren una conmutación eficiente.
