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TIP120 Transistor NPN

SKU: 2019

Transistor TIP120 Tipo T. El TIP120 es un transistor NPN epitaxial Darlington, diseñado para aplicaciones de conmutación lineal de media potencia. La disipación de potencia de 65 W.

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Descripción

Características: 

  • Darlington
  • Polaridad: NPN
  • Tensión Colector Emisor V(br)ceo: 60 V
  • Frecuencia de Transición ft 
  • Disipación de Potencia Pd : 65 W
  • Corriente de Colector DC: 5 A
  • Ganancia de Corriente DC hFE: 1000
  • Temperatura de Trabajo Máxima: 150°C
  • Encapsulado TO-220
  • 3 pines

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SettingsTIP120 Transistor NPN remove2SB1143 Transistor PNP remove2N3906 Transistor PNP removeTIP31C Transistor NPN remove2N3904 Transistor NPN removeA1145 Transistor NPN remove
NameTIP120 Transistor NPN remove2SB1143 Transistor PNP remove2N3906 Transistor PNP removeTIP31C Transistor NPN remove2N3904 Transistor NPN removeA1145 Transistor NPN remove
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Price$200$200$200$500
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DescriptionTransistor TIP120 Tipo T. El TIP120 es un transistor NPN epitaxial Darlington, diseñado para aplicaciones de conmutación lineal de media potencia. La disipación de potencia de 65 W.2SB1143 Transistor PNPEl 2N3906 de Multicomp,es un transistor con polaridad  PNP de baja potencia, de conmutación plana de silicio. Este transistor ofrece conmutación rápida, por lo tanto es conveniente para la conmutación y la amplificación.El TIP31C es un transistor de 100V con polaridad NPN epitaxial de silicio usado para la conmutación de potencia lineal media. Este producto es de uso general y adecuados para muchas aplicaciones diferentes. Es complementaria a TIP29 / 29A / 29B / 29C.Transistor 2N3904 pequeña señal.  El 2N3904 es un  transistores de conmutación rápida, corta apague y baja tensión de saturaciónadecuado para la conmutación y amplificación.Transistor Silicon PNP Epitaxial 2SA1145 para Aplicaciones de amplificador de frecuencia de audio
ContentCaracterísticas: 
  • Darlington
  • Polaridad: NPN
  • Tensión Colector Emisor V(br)ceo: 60 V
  • Frecuencia de Transición ft -
  • Disipación de Potencia Pd : 65 W
  • Corriente de Colector DC: 5 A
  • Ganancia de Corriente DC hFE: 1000
  • Temperatura de Trabajo Máxima: 150°C
  • Encapsulado TO-220
  • 3 pines
Características: 
  • Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
  • Tensión colector-base (Vcb): 60 V
  • Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
  • Tensión emisor-base (Veb): 6 V
  • Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
  • Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
Características: 
  • Tensión del emisor del colector (Vce) de -40V
  • Corriente continua de colector (Ic) de -200mA
  • Disipación de potencia de 625mW
  • Rango de temperaturas de la junta de funcionamiento de -55 ° C a 150 ° C
  • El voltaje de saturación del emisor del colector es menor que 400mV a Ic = 10mA
  • La ganancia de corriente continua es mayor que 30 en Ic = 100mA
  • TRANSISTOR BIPOLAR, PNP, 40 V TO-92
  •  Polaridad del transistor: PNP
  • Voltaje V (br) ceo: 40 V
  • Transición de frecuencia: 250 MHz
  • Disipación de Potencia: 625 mW
  • Corriente del colector: 200 mA
  • Ganancia de corriente contínua hFE: 100
  • Encapsulado TO-92
  • 3 pines
Características: 
  • Polaridad: NPN
  • Tensión colector emisor V(br)ceo: 100 V
  • Frecuencia de transición ft: 3 MHz
  • Disipación de potencia Pd : 40 W
  • Corriente de colector: 3 A
  • Ganancia de corriente DC hFE: 10
  • Temperatura de trabajo Máx. 150°C
  • 5V emisor de tensión de base (VEBO) 
  • Encapsulado TO-220
  • 3 pines
Características: 
  • TRANSISTOR BIPOLAR, NPN, 40 V, TO-92
  • Polaridad del transistor: NPN
  • Voltaje V (br) ceo: 40 V
  • Transición de frecuencia ft: 300 MHz
  • Disipación de potencia Pd: 625 mW
  • DC Corriente del colector: 200 mA
  • Ganancia de corriente contínua hFE: 100
  • Rango de temperatura de funcionamiento en el empalme de -55 ° C a 150 ° C
  • Colector emisor tensión de saturación es inferior a 300 mV en Ic = 10 mA
  • DC ganancia de corriente es mayor que 30 en Ic = 100 mA
  • Encapsulado TO-92
  • 3 pines
Características:  Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W Tensión colector-base (Vcb): 150 V Tensión colector-emisor (Vce): 150 V Tensión emisor-base (Veb): 5 V Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
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