$2,500
2N2905A Transistor BJT PNP -40V / -600mA TO-39, semiconductor bipolar de juntura PNP. Su estructura es en plástico con tres terminales. Este transistor es de baja potencia, capaz de disipar hasta 800mW, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 600mA o que requieran tensiones de hasta 40VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.
Su juntura es PNP, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 20 y 120.
Características:
| Settings | 2N2905A Transistor PNP Metálico Eliminar | 2N2907P Transistor PNP Plastico Eliminar | TIP31C Transistor NPN Eliminar | BC548B Transistor NPN Eliminar | A1145 Transistor NPN Eliminar | BC307 Transistor PNP Eliminar |
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| Name | 2N2905A Transistor PNP Metálico Eliminar | 2N2907P Transistor PNP Plastico Eliminar | TIP31C Transistor NPN Eliminar | BC548B Transistor NPN Eliminar | A1145 Transistor NPN Eliminar | BC307 Transistor PNP Eliminar |
| Image | |  |  | |  |  |
| SKU | 1944 | 1946 | 2019 | 2019 | 1961 | 1951 |
| Rating | ||||||
| Price | $2,500 | $200 | $500 | |||
| Stock | ||||||
| Availability | ||||||
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| Description | 2N2905A Transistor BJT PNP -40V / -600mA TO-39, semiconductor bipolar de juntura PNP. Su estructura es en plástico con tres terminales. Este transistor es de baja potencia, capaz de disipar hasta 800mW, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 600mA o que requieran tensiones de hasta 40VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima. Su juntura es PNP, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 20 y 120. | Transistor PNP Plastioc Encapsulado TO-92 De 3 Pines 2N2907P | El TIP31C es un transistor de 100V con polaridad NPN epitaxial de silicio usado para la conmutación de potencia lineal media. Este producto es de uso general y adecuados para muchas aplicaciones diferentes. Es complementaria a TIP29 / 29A / 29B / 29C. | Transistor BC548 pequeña señal. | Transistor Silicon PNP Epitaxial 2SA1145 para Aplicaciones de amplificador de frecuencia de audio | BC307 Transistor PNP |
| Content | Características:
| Características:
| Características:
| Características:
| Características: Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W Tensión colector-base (Vcb): 150 V Tensión colector-emisor (Vce): 150 V Tensión emisor-base (Veb): 5 V Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C | Características:
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| Weight | ||||||
| Dimensions | N/D | N/D | N/D | N/D | N/D | N/D |
| Additional information |
