Descripción
Características:
- Tipo de Encapsulado: TO-39
- Transistor complementario del 2N2222 / 2N2222A
- Transistor equivalente a 2N2904A / 2N2905 / 2N2906 / 2N2907 / 2N2907A / NTE129
- Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo PNP
- Voltaje Colector – Emisor (VCE): -40V
- Voltaje Colector – Base (VCB): -60V
- Voltaje Emisor – Base (VEB): -5V
- Corriente Colector (IC): -600mA
- Potencia Máxima Disipada (PD): 800 mW
- Ganancia Máxima (hFE): 120
- Frecuencia Máxima de Trabajo (FT): 200 MHz
