| Description | Transistor PNP Metálico Encapsulado TO-92 De 3 Pines 2N2907P | Transistor de unijuntura programable (PUT), 150 mA, 40 V, 300 mW, corriente pico Ip típica 4 μA. Permite programar las características de unijuntura RBB, η, Iv y Ip con solo dos resistencias. | Transistor de unijuntura programable (PUT), 150 mA, 40 V, 300 mW, corriente pico Ip típica 4 μA. Permite programar las características de unijuntura RBB, η, Iv y Ip con solo dos resistencias | 2SB1143 Transistor PNP | A1048 Transistor TO92 | Transistor BC547B pequeña señal. |
| Content | Características:
- Transistor PNP, 2N2907
- Encapsulado Metalico TO-92 de 3 pines
- Voltaje de Colector a Base (CB) es -60V
- Voltaje de Colector a Emisor (CE) es -60V
- Corriente de Colector es -600mA
- Potencia de disipación total es 625mW
- Ganancia de corriente DC (hfe) es 300
- Frecuencia de transición es 200MHz
- Tiempo de retardo es 10ns
- Tiempo de subida es 40ns, y tiempo de bajada es 30ns.
| Características:
- Transistor de unijuntura programable (PUT = Programmable Unijunction Transistor)
- Permite programar las características de unijuntura RBB, η, Iv y Ip con solo dos resistencias
- Voltaje en directo: 0.8 V típico, 1.5 V max. (@ If = 50 mA)
- Voltaje pico de salida alto: 11 V típico
- Corriente pico Ip: 4 μA típica (Vs = 10 V, RG = 10 kΩ)
- Corriente valle Iv: 150 μA típica (Vs = 10 V, RG = 10 kΩ)
- Voltaje offset bajo: 0.35 V típico (RG = 10 kΩ)
- Corriente de fuga compuerta-ánodo baja: 10 nA max.
- Corriente en directo max: 150 mA
- Corriente de compuerta max: ±50 mA
- Corriente pico no repetitivo max: 5 A (Pulso de 10 μs)
- Voltaje directo de compuerta-cátodo max: 40 V
- Voltaje inverso de compuerta-cátodo max: -5 V
- Voltaje inverso de compuerta-ánodo max: 40 V
- Voltaje de ánodo-cátodo max: ±40 V
- Potencia max: 300 mW
- Marcado: 6027
- Encapsulado: TO-92
| Características:
- Voltaje en directo: 0.8 V típico, 1.5 V max. (@ If = 50 mA)
- Voltaje pico de salida alto: 11 V típico
- Corriente pico Ip: 4 μA típica (Vs = 10 V, RG = 10 kΩ)
- Corriente valle Iv: 150 μA típica (Vs = 10 V, RG = 10 kΩ)
- Voltaje offset bajo: 0.35 V típico (RG = 10 kΩ)
- Corriente de fuga compuerta-ánodo baja: 10 nA max.
- Corriente en directo max: 150 mA
- Corriente de compuerta max: ±50 mA
- Corriente pico no repetitivo max: 5 A (Pulso de 10 μs)
- Voltaje directo de compuerta-cátodo max: 40 V
- Voltaje inverso de compuerta-cátodo max: -5 V
- Voltaje inverso de compuerta-ánodo max: 40 V
- Voltaje de ánodo-cátodo max: ±40 V
- Potencia max: 300 mW
- Encapsulado: TO-92
| Características:
- Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
- Tensión colector-base (Vcb): 60 V
- Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
- Tensión emisor-base (Veb): 6 V
- Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
- Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
| Características:
- Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
- Tensión colector-base (Vcb): 50 V
- Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
- Tensión emisor-base (Veb): 5 V
- Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
- Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
| Características:
- TRANSISTOR BIPOLAR, NPN, 45 V, TO-92
- Polaridad del transistor: NPN
- Voltaje V (br) ceo: 45 V
- Transición Typ ft Frecuencia: 300 MHz
- Dispación de potencia Pd: 500 mW
- DC Corriente del colector: 100 mA
- Ganancia de corriente contínua hFE: 200
- Encapsulado: TO-92
- 3 pines
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