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2N2907P Transistor PNP Plastico

SKU: 1946

$200

Transistor PNP Plastioc Encapsulado TO-92 De 3 Pines 2N2907P

Categoría

Descripción

Características: 

  • Transistor PNP, 2N2907
  • Encapsulado Plastico TO-92 de 3 pines
  • Voltaje de Colector a Base (CB) es -60V
  • Voltaje de Colector a Emisor (CE) es -60V
  • Corriente de Colector es -600mA
  • Potencia de disipación total es 625mW
  • Ganancia de corriente DC (hfe) es 300
  • Frecuencia de transición es 200MHz
  • Tiempo de retardo es 10ns
  • Tiempo de subida es 40ns, y tiempo de bajada es 30ns.

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2N2907P Transistor PNP Plastico Eliminar2N2905A Transistor PNP Metálico Eliminar2N2222 Transistor NPN Eliminar2N3906 Transistor PNP EliminarTIP120 Transistor NPN Eliminar2N6027 Transistor PNP Eliminar
Name2N2907P Transistor PNP Plastico Eliminar2N2905A Transistor PNP Metálico Eliminar2N2222 Transistor NPN Eliminar2N3906 Transistor PNP EliminarTIP120 Transistor NPN Eliminar2N6027 Transistor PNP Eliminar
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Description

Transistor PNP Plastioc Encapsulado TO-92 De 3 Pines 2N2907P

2N2905A Transistor BJT PNP -40V / -600mA TO-39, semiconductor bipolar de juntura PNP. Su estructura es en plástico con tres terminales. Este transistor es de baja potencia, capaz de disipar hasta 800mW, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 600mA o que requieran tensiones de hasta 40VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima. Su juntura es PNP, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 20 y 120.Transistor de pequeña señal con 2N2222A empaquetado TO-92. Ideal como conmutador o switch, y amplificador.El 2N3906 de Multicomp,es un transistor con polaridad  PNP de baja potencia, de conmutación plana de silicio. Este transistor ofrece conmutación rápida, por lo tanto es conveniente para la conmutación y la amplificación.Transistor TIP120 Tipo T. El TIP120 es un transistor NPN epitaxial Darlington, diseñado para aplicaciones de conmutación lineal de media potencia. La disipación de potencia de 65 W.Transistor de unijuntura programable (PUT), 150 mA, 40 V, 300 mW, corriente pico Ip típica 4 μA. Permite programar las características de unijuntura RBB, η, Iv y Ip con solo dos resistencias.
ContentCaracterísticas: 
  • Transistor PNP, 2N2907
  • Encapsulado Plastico TO-92 de 3 pines
  • Voltaje de Colector a Base (CB) es -60V
  • Voltaje de Colector a Emisor (CE) es -60V
  • Corriente de Colector es -600mA
  • Potencia de disipación total es 625mW
  • Ganancia de corriente DC (hfe) es 300
  • Frecuencia de transición es 200MHz
  • Tiempo de retardo es 10ns
  • Tiempo de subida es 40ns, y tiempo de bajada es 30ns.
Características: 
  • Tipo de Encapsulado: TO-39
  • Transistor complementario del 2N2222 / 2N2222A
  • Transistor equivalente a 2N2904A / 2N2905 / 2N2906 / 2N2907 / 2N2907A / NTE129
  • Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo PNP
  • Voltaje Colector - Emisor (VCE): -40V
  • Voltaje Colector - Base (VCB): -60V
  • Voltaje Emisor - Base (VEB): -5V
  • Corriente Colector (IC): -600mA
  • Potencia Máxima Disipada (PD): 800 mW
  • Ganancia Máxima (hFE): 120
  • Frecuencia Máxima de Trabajo (FT): 200 MHz
Características: 
  • Modelo: 2N2222
  • Tipo: NPN
  • Cantidad: 1 pza
  • Empaquetado: TO-92
Características: 
  • Tensión del emisor del colector (Vce) de -40V
  • Corriente continua de colector (Ic) de -200mA
  • Disipación de potencia de 625mW
  • Rango de temperaturas de la junta de funcionamiento de -55 ° C a 150 ° C
  • El voltaje de saturación del emisor del colector es menor que 400mV a Ic = 10mA
  • La ganancia de corriente continua es mayor que 30 en Ic = 100mA
  • TRANSISTOR BIPOLAR, PNP, 40 V TO-92
  •  Polaridad del transistor: PNP
  • Voltaje V (br) ceo: 40 V
  • Transición de frecuencia: 250 MHz
  • Disipación de Potencia: 625 mW
  • Corriente del colector: 200 mA
  • Ganancia de corriente contínua hFE: 100
  • Encapsulado TO-92
  • 3 pines
Características: 
  • Darlington
  • Polaridad: NPN
  • Tensión Colector Emisor V(br)ceo: 60 V
  • Frecuencia de Transición ft -
  • Disipación de Potencia Pd : 65 W
  • Corriente de Colector DC: 5 A
  • Ganancia de Corriente DC hFE: 1000
  • Temperatura de Trabajo Máxima: 150°C
  • Encapsulado TO-220
  • 3 pines
Características: 
  • Transistor de unijuntura programable (PUT = Programmable Unijunction Transistor)
  • Permite programar las características de unijuntura RBB, η, Iv y Ip con solo dos resistencias
  • Voltaje en directo: 0.8 V típico, 1.5 V max. (@ If = 50 mA)
  • Voltaje pico de salida alto: 11 V típico
  • Corriente pico Ip: 4 μA típica (Vs = 10 V, RG = 10 kΩ)
  • Corriente valle Iv: 150 μA típica (Vs = 10 V, RG = 10 kΩ)
  • Voltaje offset bajo: 0.35 V típico (RG = 10 kΩ)
  • Corriente de fuga compuerta-ánodo baja: 10 nA max.
  • Corriente en directo max: 150 mA
  • Corriente de compuerta max: ±50 mA
  • Corriente pico no repetitivo max: 5 A  (Pulso de 10 μs)
  • Voltaje directo de compuerta-cátodo max: 40 V
  • Voltaje inverso de compuerta-cátodo max: -5 V
  • Voltaje inverso de compuerta-ánodo max: 40 V
  • Voltaje de ánodo-cátodo max: ±40 V
  • Potencia max: 300 mW
  • Marcado: 6027
  • Encapsulado: TO-92
WeightN/DN/DN/DN/DN/DN/D
DimensionsN/DN/DN/DN/DN/DN/D
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