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2N3704 Transistor Bipolar

SKU: 1949

$2,000

El 2N3704 es un transistor bipolar epitaxial plano de silicio NPN con voltaje colector-emisor a 30V y disipación de potencia a 625mW.

Categoría

Descripción

Características: 

  • Tipo – NPN
  • Voltaje emisor: 30 V
  • Voltaje-base: 50 V
  • Voltaje de la base del emisor: 5 V
  • Corriente del colector: 0,5 A
  • Disipación del colector: 0,625 W
  • Ganancia de corriente CC (h fe ): 100 a 300
  • Frecuencia de transición: 100 MHz
  • Rango de temperatura de unión de funcionamiento y almacenamiento -55 a +150 ° C
  • Paquete – TO-92

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2N3704 Transistor Bipolar EliminarA1145 Transistor NPN EliminarA608 Transistor PNP EliminarBC547B Transistor NPN Eliminar2N2905A Transistor PNP Metálico Eliminar2N5551 Transistor NPN Eliminar
Name2N3704 Transistor Bipolar EliminarA1145 Transistor NPN EliminarA608 Transistor PNP EliminarBC547B Transistor NPN Eliminar2N2905A Transistor PNP Metálico Eliminar2N5551 Transistor NPN Eliminar
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DescriptionEl 2N3704 es un transistor bipolar epitaxial plano de silicio NPN con voltaje colector-emisor a 30V y disipación de potencia a 625mW.Transistor Silicon PNP Epitaxial 2SA1145 para Aplicaciones de amplificador de frecuencia de audioA608 Transistor PNPTransistor BC547B pequeña señal.2N2905A Transistor BJT PNP -40V / -600mA TO-39, semiconductor bipolar de juntura PNP. Su estructura es en plástico con tres terminales. Este transistor es de baja potencia, capaz de disipar hasta 800mW, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 600mA o que requieran tensiones de hasta 40VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima. Su juntura es PNP, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 20 y 120.Transistor NPN de alto voltaje. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 160 V, VCBO: 180 V, VEBO: 6 V, fT: 100 MHz, TO-92
ContentCaracterísticas: 
  • Tipo - NPN
  • Voltaje emisor: 30 V
  • Voltaje-base: 50 V
  • Voltaje de la base del emisor: 5 V
  • Corriente del colector: 0,5 A
  • Disipación del colector: 0,625 W
  • Ganancia de corriente CC (h fe ): 100 a 300
  • Frecuencia de transición: 100 MHz
  • Rango de temperatura de unión de funcionamiento y almacenamiento -55 a +150 ° C
  • Paquete - TO-92
Características:  Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W Tensión colector-base (Vcb): 150 V Tensión colector-emisor (Vce): 150 V Tensión emisor-base (Veb): 5 V Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °CCaracterísticas: 
  • Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
  • Tensión colector-base (Vcb): 55 V
  • Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
  • Tensión emisor-base (Veb): 5 V
  • Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
  • Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Características: 
  • TRANSISTOR BIPOLAR, NPN, 45 V, TO-92
  • Polaridad del transistor: NPN
  • Voltaje V (br) ceo: 45 V
  • Transición Typ ft Frecuencia: 300 MHz
  • Dispación de potencia Pd: 500 mW
  • DC Corriente del colector: 100 mA
  • Ganancia de corriente contínua hFE: 200
  • Encapsulado: TO-92
  • 3 pines
Características: 
  • Tipo de Encapsulado: TO-39
  • Transistor complementario del 2N2222 / 2N2222A
  • Transistor equivalente a 2N2904A / 2N2905 / 2N2906 / 2N2907 / 2N2907A / NTE129
  • Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo PNP
  • Voltaje Colector - Emisor (VCE): -40V
  • Voltaje Colector - Base (VCB): -60V
  • Voltaje Emisor - Base (VEB): -5V
  • Corriente Colector (IC): -600mA
  • Potencia Máxima Disipada (PD): 800 mW
  • Ganancia Máxima (hFE): 120
  • Frecuencia Máxima de Trabajo (FT): 200 MHz
Características: 
  • Transistor Bipolar (BJT) NPN de alto voltaje
  • Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general
  • IC: 600 mA max.
  • PD: 625 mW max.
  • VCEO: 160 V, VCBO: 180 V, VEBO: 6 V,   max.
  • hFE: 80 min. (@ IC=1 mA, VCE=5 V)
  • fT: 100 MHz mínimo
  • VCE(sat): 0.2 V max. (@ IC = 50 mA)
  • Encapsulado: TO-92
  • Complementarios: 2N5400
WeightN/DN/DN/DN/DN/DN/D
DimensionsN/DN/DN/DN/DN/DN/D
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