Diseñada para guardar instrucciones y programas dando soporte a Microcontroladores que requieren una gran cantidad de memoria en tiempo de ejecución con hasta 8Mbit de memoria borrable electricamente en dos gamas ultravioleta (UV) o one time programable (OTP). Con un tiempo acceso (Lectura) menor a los 45ns es de bajo consumo llegando a los 35mA durante la lectura.
El transistor 2N2222 está en el paquete SOT-23. Es un transistor SMD tipo NPN. 2N2222 tiene una corriente de colector de 600 mA y una tensión de colector-emisor de 75 V.
2N2905A Transistor BJT PNP -40V / -600mA TO-39, semiconductor bipolar de juntura PNP. Su estructura es en plástico con tres terminales. Este transistor es de baja potencia, capaz de disipar hasta 800mW, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 600mA o que requieran tensiones de hasta 40VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.
Su juntura es PNP, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 20 y 120.
Transistor 2N3904 pequeña señal. El 2N3904 es un transistores de conmutación rápida, corta apague y baja tensión de saturación, adecuado para la conmutación y amplificación.
El 2N3906 de Multicomp,es un transistor con polaridad PNP de baja potencia, de conmutación plana de silicio. Este transistor ofrece conmutación rápida, por lo tanto es conveniente para la conmutación y la amplificación.
Transistor de unijuntura programable (PUT), 150 mA, 40 V, 300 mW, corriente pico Ip típica 4 μA. Permite programar las características de unijuntura RBB, η, Iv y Ip con solo dos resistencias
Transistor de unijuntura programable (PUT), 150 mA, 40 V, 300 mW, corriente pico Ip típica 4 μA. Permite programar las características de unijuntura RBB, η, Iv y Ip con solo dos resistencias.